12月16日，由共青团西安交通大学委员会、西安交通大学研究生会主办，西安交通大学电信学部研究生分会承办的“电信优+计划”系列活动——“SiC功率器件研发和产业化”学术讲座在钱学森图书馆星空报告厅顺利举办。本次讲座旨在帮助同学们开阔科技视野，提升科研素养，增强专业水准。通过对SiC功率器件的介绍，引领同学们感受科技前沿知识，加深对专业领域的认知与思考。

　　本期讲座特邀张清纯教授作为嘉宾。张清纯现任复旦大学特聘教授、复旦大学超越照明研究所副所长、上海宽禁带半导体功率器件工程与技术中心主任。张清纯在碳化硅领域有长达20多年的工作经验，撰写超过100篇科技论文和SiC器件的专著，是这一行业的领头专家。张清纯通过对SiC功率器件的现状、发展和未来趋势三方面的介绍，为同学们带来了一场别开生面的学术讲座。

　　张清纯教授首先介绍了宽禁带半导体的研究现状。目前国内宽禁带半导体发展不仅存在材料成本高、制造工艺有待标准化等问题，还在器件设计、模块及封装等问题上由于其特殊性面临重重挑战存在。但是，宽禁带半导体有着其不可替代的优势：极低反向漏电流、低特征电阻。正是在这样的优势的促进下，宽禁带半导体在国防民生等重要领域得到了广泛的应用。SiC作为第三代宽禁带半导体，可使功率器件以更高的效率、更高的功率密度和更高的温度工作，得到了深入的研究。

　　张清纯教授用自己的亲身经历，向同学们介绍了SiC这二十多年的发展历程，着重讲解了SiC的市场和产业发展。SiC是功率变流的“CPU”，广泛应用于新能源汽车、工业控制、轨道交通、国防安全等重要领域。随着SiC的广泛应用，这一产业发展成为国家新兴战略产业。加强对SiC的研究，不仅是顺应市场意愿，也是发展国民经济的重大举措。

　　张清纯教授提出，下一代半导体器件主要围绕降低成本和提高性能两方面展开研究。随后，他向同学们讲解了最新的半导体技术——超级结技术的进展。超级结结构对于超高压SiC单极器件的产业化和研发发挥着重要的作用。SiC是未来几十年发展的机遇，与国外先进技术相比，国内半导体技术发展还有10-15年的前进空间。将成熟的理论体系运用到复杂的实践过程中，正是接下来的研究人员需要努力的方向。

　　现场提问环节，同学们结合自身研究方向积极向教授提出专业性问题，教授一一作出解答，并鼓励同学们继续在自己的研究领域深入研究学习。